TSMC vient de révéler son plan pour les obtenir

TSMC a révélé quelle photolithographie sera prête pour la fabrication de puces à grande échelle au cours des trois prochaines années. Le plus grand producteur de semi-conducteurs de la planète a officialisé son itinéraire il y a quelques heures à peine lors de son North American Technology Symposium, qui s’est tenu hier à Santa Clara (USA). Et les technologies qu’elle a présentées mettent sur la table une réalité incontestable : cette entreprise taïwanaise est déterminée à continuer à dominer l’industrie de la fabrication de circuits intégrés.

Pour y parvenir en 2029, elle disposera pour une production à grande échelle des technologies d’intégration A12 et A13, qui ne sont que des dérivés de sa photolithographie A14. D’un point de vue commercial, il s’agira des premières technologies 1,2 et 1,3 nm de TSMC, même s’il est important que les utilisateurs ne négligent pas que les nanomètres ne reflètent plus fidèlement la longueur des portes logiques ou d’autres paramètres physiques, comme la distance entre les transistors.

Chaque fabricant de puces les manipule très librement, ce qui empêche les utilisateurs de comparer directement les lithographies qu’ils tentent de nous « vendre ». La déconnexion entre la nomenclature et la réalité physique des circuits intégrés est désormais quasi absolue, mais les nanomètres restent utiles pour identifier le degré de développement de chaque photolithographie au sein du portefeuille de chaque fabricant de semi-conducteurs. Cela dit, cela vaut la peine d’enquêter sur ce que prépare TSMC.

Une prouesse technique : A12 et A13 sans utiliser les machines High-NA d’ASML

Kevin Zhang, directeur adjoint de l’exploitation de TSMC, a clarifié quelque chose de très important : « Je suis émerveillé par notre équipe R&D. Ils continuent de trouver des moyens de stimuler le développement technologique sans utiliser l’équipement UVE High-NA d’ASML. C’est impressionnant. TSMC continuera de développer une lithographie hautement compétitive au cours des trois prochaines années sans avoir recours à des machines High-NA.

Dans la diapositive que nous publions sous ces lignes, nous pouvons voir qu’en 2028, le nœud lithographique le plus avancé de TSMC destiné au marché grand public sera l’A14, qui utilisera des transistors GAA() de deuxième génération. La production de masse de puces grand public avec lithographie A13 débutera en 2029 et prendra la technologie d’intégration A14 comme plate-forme de base. Cela signifie simplement que la lithographie de l’A13 sera le résultat du raffinement de l’A14.

Selon TSMC, la technologie d’intégration A13 est une optimisation optique de l’A14, ce qui lui permettra en pratique d’atteindre une densité de transistors 6 % plus élevée tout en maintenant la compatibilité entre les deux. En revanche, la lithographie N2U arrivera en 2028, qui s’adresse également au marché grand public. Il s’agira d’une extension de la plateforme N2 (2 nm) et offrira des performances, toujours selon les prévisions de TSMC, entre 3 % et 4 % supérieures à celles du N2P, ainsi qu’une consommation entre 8 % et 10 % inférieure.

Enfin, la lithographie A12 arrivera en 2029 avec l’A13, même si elle sera principalement destinée aux puces pour datacenters. Il utilisera, comme l’A13, des transistors GAA de deuxième génération et la technologie NanoFlex Pro. Ce dernier permettra aux concepteurs de circuits intégrés d’utiliser des cellules rapides pour les parties critiques du GPU qui ont besoin de vitesse, et des cellules denses ou efficaces pour le reste, optimisant ainsi la surface de la puce jusqu’au dernier millimètre. NanoFlex Pro est l’une des innovations avec lesquelles TSMC cherche à protéger son leadership technologique afin que ses clients de puces d’intelligence artificielle (IA), comme Nvidia, AMD ou Cerebras, continuent de se tourner vers lui et non vers Samsung ou Intel.

Images | TSMC

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